全文获取类型
收费全文 | 5766篇 |
免费 | 210篇 |
国内免费 | 263篇 |
专业分类
系统科学 | 302篇 |
丛书文集 | 130篇 |
教育与普及 | 21篇 |
理论与方法论 | 8篇 |
现状及发展 | 22篇 |
综合类 | 5755篇 |
自然研究 | 1篇 |
出版年
2024年 | 17篇 |
2023年 | 39篇 |
2022年 | 58篇 |
2021年 | 74篇 |
2020年 | 91篇 |
2019年 | 89篇 |
2018年 | 76篇 |
2017年 | 101篇 |
2016年 | 125篇 |
2015年 | 161篇 |
2014年 | 243篇 |
2013年 | 220篇 |
2012年 | 325篇 |
2011年 | 342篇 |
2010年 | 249篇 |
2009年 | 321篇 |
2008年 | 251篇 |
2007年 | 337篇 |
2006年 | 320篇 |
2005年 | 269篇 |
2004年 | 242篇 |
2003年 | 221篇 |
2002年 | 214篇 |
2001年 | 212篇 |
2000年 | 195篇 |
1999年 | 163篇 |
1998年 | 134篇 |
1997年 | 161篇 |
1996年 | 120篇 |
1995年 | 130篇 |
1994年 | 109篇 |
1993年 | 116篇 |
1992年 | 95篇 |
1991年 | 107篇 |
1990年 | 85篇 |
1989年 | 81篇 |
1988年 | 86篇 |
1987年 | 28篇 |
1986年 | 23篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有6239条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs 总被引:2,自引:0,他引:2
High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results. 相似文献
92.
通过没有(PS)条件的山路引理和对最佳Sobolev常数及能量泛函的分析,得到了一类具有次线性及临界增长组合非线性项的齐次Neumann问题多重正解的存在性。 相似文献
93.
对高温平板滞止区内饱和水喷流冲击沸腾的临界热流密度进行了理论解析和实验研究。根据气液两相流稳定性理论得到了气泡层下最大液膜底层厚度,并由最大液膜底层厚度和液膜平均流速,建立了一个预示临界热流密度的半理论方程。方程系数由稳态实验数据拟合得到。研究结果证明,临界热流密度取决于滞止冲击速度和喷流直径,半理论半经验式能较好地预示实验结果。 相似文献
94.
介绍了微段渐开线齿廓形成过程,从理论上分析了微段渐开线齿廓以凹凸方式啮合时其曲率半径相等及其接触应力嘶很小的原因.同时通过有限元法分析了微段渐开线的弯曲强度,并与相同情形下的渐开线齿轮进行了比较,指出了微段渐开线齿廓的弯曲强度优于渐开线齿廓的原因. 相似文献
95.
居季成 《上海应用技术学院学报:自然科学版》2003,3(2):95-99
介绍采用正交试验方法,通过数据处理,对影响工程陶瓷表面粗糙度的有关工艺参数进行分析比较,从而达到有效降低零件表面粗糙度的目的。 相似文献
96.
林莺 《长安大学学报(自然科学版)》2003,23(6):99-102
针对大型客车的结构特点,分析了影响大型客车操纵稳定性的因素,并对相关参数进行了计算。计算结果均满足相关规范要求,提出了进一步改善其操作稳定性的建议措施。 相似文献
97.
根据损伤力学的基本原理,利用测量电阻的方法,研究了拉伸受力状态下,铁素体球墨铸铁的损伤力学特性。得出了损伤变量随应力和应变而变化的演变规律。认为球墨铸铁存在损伤阈值,其大小随球化率提高而呈直线增大,但损伤阈值皆小于屈服强度;临界损伤变量与球化率的关系不大,在本试验条件下,约为0.060~0.068。研究结果表明,当应力大于一定程度时,损伤发生,且随应力增加而逐渐增大。 相似文献
98.
热能吸附制冷中吸附剂热导率的试验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究颗粒尺寸和散体密度对热能吸附制冷吸附剂CaCl2热导率的影响,采用稳态同步圆筒壁法的原理搭建热导率测定试验台,对均匀CaCl2颗粒菜体的热导率进行试验,得到不同颗粒度CaCl2热导率随温度变化的曲线和回归方程,试验结果表明,CaCl2的热导率存在一个临界颗粒尺寸,并且临界颗粒尺寸的出现和CaCl2的密度无关,从传热机理解释CaCl2热导率的影响因素,并提出一种新的临界尺寸理论。 相似文献
99.
100.
基于SWIFT算法的球关节操作臂最优路径规划 总被引:10,自引:1,他引:10
针对目标物体在空间的位置和姿态确定的情况下,机器人操作臂如何选择一条满足关节转角约束,且使所有关节转动角度之和为最小的最佳路径这一问题,提出了利用动态可行解区间作为改进SWIFT(sequential weight increasing factor technique)算法的初始迭代值进行寻优迭代的方法,并对罚因子rk进行了讨论。该算法具有较少的迭代次数和较快的收敛速度,并通过对9个自由度的球关节操作臂的仿真结果,验证了该算法的正确性和可行性。 相似文献